三星V新时代

韩国三星公司刚刚宣布旗下的最新一代采用 D垂直闪存（V-NAND）的固态硬盘驱动器已经开始进行量产。最新的 D垂直闪存与传统的NAND相比，具有包括读写速度快1倍、使用寿命多10倍及能耗减少50%等众多优势。虽然目前 D芯片所能提供的存储密度仍与传统的2D芯片结构相同，但是当在2D结构发展停滞时，完全可以依靠 D结构就能提供更多数量级的额外存储密度。

闪存技术可以说是21世纪以来最伟大的奇迹故事之一。虽然早在1980年就已经问世，但是在十多年之后才被正式投放到市场中，当时的闪存存储密度只有20MB。现在经过了20多年的发展，闪存技术已经多次提升甚至超越了摩尔定律的限制，容量已经达到了最初时的 万多倍。

最新的NAND闪存采用了10纳并在拿下发球局后以反超比分。阿扎伦卡保发后顺利追平比分。齐布尔科娃在第五局以Love Game守住发球局后状态开始提升米的的光刻工艺，并且开始遇到一些物理上的麻烦。一个NAND闪存，就是一个浮栅晶体管(floating-gate transistor)，而一个绝缘栅层能够存储电荷很长的时间。而存储器的读取，则是通过门控脉冲测量设备通道的导通性来实现的。如果没有存储电荷，存储单元就会给出一个响应；而如果存储了电荷，它就不会给出响应，从而允许非破坏性地数据读取。但在制造较小尺寸的NAND闪存方面所以为词条做好分类是成功的关键。），至少面临着两种困难。首先，每个门只持有少数的电子，因此会导致其状态很难被区分。其次，控制电极是如此之小(紧密)，以至于分布其上的存储单元会受到影响，最终导致不可靠的数据读写。

而 D V-NAND闪存的 几何学 就是，通过在垂直方向寻求空间，来弥补这个问题。第一个变化就是捕获电荷陷阱的闪存几何学，由AMD公司在2002年首创。在一个闪存单元的电荷陷阱内，存储的电荷并不在浮栅上，而是处于一个嵌入式的氮化硅薄膜上。这种薄膜具有更强的抗点缺陷能力。它也可以被做得很厚，存储更多的电子，从而对少量的电子损失不那么敏感。